正移好。正移：当平带电位向正方向移动时，表示半导体材料的导电性能提高，电子更容易从价带跃迁到导带，从而提高了材料的电导率。在实际应用中，正移通常被认为是有益的，因为它可以提高半导体器件的性能。
走进莫特-肖特基的智慧 另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。
相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
光催化剂莫特肖特基曲线测试不需要光照。光催化类的实验测只是测半导体与溶液接触时的电性质，不需要用光，测试中有光和无光似乎只影响数值（电容值）的大小，对曲线趋势和平带电位不影响。
此时，VB方法就显得尤为实用，但其校准过程往往复杂且存在争议。走进莫特-肖特基的智慧 另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。
1、p型半导体的莫特肖特基曲线斜率大小说明分离效率。根据查询相关公开信息，电流越大，分离效率约好。n型还是p型半导体要用到莫特肖特基测试，曲线斜率为正就是n型，为负就是p型。
2、M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
3、相反，如果切线斜率为负，意味着样品为p型半导体，此时Efb会位于价带Ecb之上，计算出的数值会相应减小。当正负斜率同时存在，可能暗示样品内部存在PN结异质结构。数据处理的艺术：解读M-S曲线 虽然不同方法得出的价带数值可能存在差异，这是正常现象，关键在于根据实际样品特性及审稿人的要求做出明智选择。
4、在莫特肖特基测试中，样品与参比电极之间施加一定的电压，测量样品与参比电极之间的电流，以及电流与电压之间的关系。对于p型半导体，在正向电压下，电流随电压的增加而增加，而在负向电压下，电流几乎为零；对于n型半导体，在正向电压下，电流随电压的增加而增加，但在负向电压下，电流迅速增加。
5、因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。
6、莫特肖特p型n型看载流子，前面是正为p型，负为n型。载流子类型的判断实验上是通过霍尔效应来判断，通过测量得到的霍尔系数，系数大于0是p型，反之n型。载流子在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位被视为载流子。
Lett. 在线发表了 福州大学肖方兴 教授在 金属纳米团簇本征不稳定性可控调制用于光催化产氢 上的研究成果。 背景介绍 肖方兴教授课题组已经证实，金属纳米团簇的不稳定性主要源于其在光照下原位自转变为金属纳米晶，导致其光响应能力大幅下降。
